Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 504/1 394)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostk...

IXYS

IXFP3N120

od PLN 19,36*
za szt.

Moduł tranzystorowy IGBT PG-TO263-7 (1 Oferta)

Typ opakowania = PG-TO263-7

Infineon

IMBG120R350M1HXTMA1

od PLN 17,167*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W...

IXYS

IXTP3N120

od PLN 20,33*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 5 mA DSO 1EDI2002ASXUMA2 4.65 → 18V (1 Oferta)

Prąd wyjściowy = 5 mA Napięcie zasilania = 4.65 → 18V Liczba styków = 36 Typ opakowania = DSOns

Infineon

1EDI2002ASXUMA2

od PLN 29,42*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 40V; 23A; 40W (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN3.3x3.3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polary...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJQ35N04A

od PLN 0,53*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 7 A SOIC NCD57084DR2G 20V (1 Oferta)

Prąd wyjściowy = 7 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Czas zanikania = 15ns

onsemi

NCD57084DR2G

od PLN 4,272*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 30V; 4A; Idm: 15A; 1,3W (1 Oferta)

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W P...

Micro Commercial Components

SI3402-TP

od PLN 0,40*
za szt.

Płytka ewaluacyjna onsemi Zasilacz Płytka ewaluacyjna Sterowniki IGBT (1 Oferta)

Izolowane zasilanie ON Semiconductor dla sterowników IGBT, zapewniające niezbędne stabilne szyny napięcia -7.5 V / 15 V dla sprawnego przełączania oraz dodatkową szynę 7.5 V w szerokim zakresie nap...

onsemi

SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

od PLN 129,403*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; Idm: 15A; 175W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT4F120S

od PLN 19,51*
za szt.

Płyta rozwojowa Infineon Płytka ewaluacyjna IGBT, tranzystory MOSFET SiC (1 Oferta)

Do użytku z = IGBT, tranzystory MOSFET SiC Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Nazwa zestawu = Evaluation Board For EiceDRIVER

Infineon

EVAL1ED3251MC12HTOBO1

od PLN 364,445*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT7F120S

od PLN 36,15*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 1,9 A SOIC NCV57201DR2G 20V (1 Oferta)

Prąd wyjściowy = 1,9 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns

onsemi

NCV57201DR2G

od PLN 4,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 100V; 1,6A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL02N10A

od PLN 0,16*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy PG-DSO-8-59 XDPL8105XUMA1 CMOS (1 Oferta)

Typ układu logicznego = CMOS Liczba styków = 8 Typ opakowania = PG-DSO-8-59ns

Infineon

XDPL8105XUMA1

od PLN 2,62*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,12A; Idm: 0,765A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,265W Polaryzac...

Nexperia

NX138AKVL

od PLN 0,108*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 501 502 503 504 505 506 507 508 509 510 511 .. 1394 Dalej

Tranzystor (20 902 ofert spośród 4 918 850 artykułów)

"Tranzystor"