Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F120S
od PLN 36,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57090BDWR2G 22V (1 Oferta) 
ON Semiconductor NCD57090 to jednokanałowy sterownik bramki IGBT/MOSFET o wysokim natężeniu, z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności ...
onsemi
NCV57090BDWR2G
od PLN 5,678*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 60V; 3,2A; Idm: 10A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI3458BDV-T1-GE3
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -100 V. Montaż powierzchniowy -2 A DXTP22040CFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -100 V. Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
Diodes
DXTP22040CFGQ-7
od PLN 0,867*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 900V; 11,6A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 11,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
ST Microelectronics
STP21N90K5
od PLN 14,971*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 14-pinowy 6,5 A SOIC NCD57540DWKR2G PWM 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = PWM Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 14 Typ opakowania = SOIC
onsemi
NCD57540DWKR2G
od PLN 11,976*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 5A; 130W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryza...
ST Microelectronics
STP10N95K5
od PLN 6,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57090CDWR2G 22V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 22V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns
onsemi
NCV57090CDWR2G
od PLN 7,887*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F120B
od PLN 23,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 7 A SOIC NCD57084DR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 7 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns
onsemi
NCD57084DR2G
od PLN 2,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1,05kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STF7N105K5
od PLN 7,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -40 V Montaż powierzchniowy -2 A DXTP22040DFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
Diodes
DXTP22040DFGQ-7
od PLN 1 725,88*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 7,6A; 170W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 410mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryz...
ST Microelectronics
STW15N95K5
od PLN 12,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 14-pinowy 6,5 A SOIC NCV57540DWKR2G PWM 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = PWM Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 14 Typ opakowania = SOIC
onsemi
NCV57540DWKR2G
od PLN 12,507*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 20V; 3,5A; 1W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2302A
od PLN 0,83*
za 10 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.