Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 60V; 0,272A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,272A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
2N7002W
od PLN 0,985*
za 25 szt.
 
 opakowanie
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 75 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 395 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
od PLN 1 083,8601*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH3N150
od PLN 33,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 75 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 395 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
od PLN 37,154*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT28M120L
od PLN 92,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 100V; 6,5A; Idm: 26A; 8,3W (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT223;SC73 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,3W Polaryzacja:...
Nexperia
PHT6NQ10T,135
od PLN 1,697*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 2 A DSO 1EDC20H12AHXUMA1 CMOS 3.1 → 17V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 3.1 → 17V Liczba styków = 8 Typ opakowania = DSOns
Infineon
1EDC20H12AHXUMA1
od PLN 5,831*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,265W Polaryza...
Nexperia
2N7002NXAKR
od PLN 0,108*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTA3N150HV
od PLN 28,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 305 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 305 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
od PLN 12,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Pol...
IXYS
IXTA1N120P
od PLN 10,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 30V; 4A; Idm: 15A; 1,3W (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W P...
Micro Commercial Components
SI3402-TP
od PLN 1,62*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6 A DSO-8 1EDI10I12MFXUMA1 CMOS 15V (2 ofert) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 6 A Napięcie zasilania = 15V Liczba styków = 8 Typ opakowania = DSO-8ns
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
od PLN 2,886*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,245A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002BKVL
od PLN 0,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; TO264; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...
IXYS
IXTK8N150L
od PLN 126,45*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.