Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 225W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT4F120K
od PLN 17,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI5060-8 -60 V Montaż powierzchniowy -30 A DXTP3C60PSQ-13 (2 ofert) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -60 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu...
Diodes
DXTP3C60PSQ-13
od PLN 0,886*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN LFPAK4 100 V DC Montaż powierzchniowy 3 A MJK31CTWG (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 100 V DC Typ opakowania = LFPAK4 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementó...
onsemi
MJK31CTWG
od PLN 3,635*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700...
IXYS
IXTX8N150L
od PLN 124,35*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFQ790 tranzystor (1 Oferta)
Infineon
BFQ790H6327XTSA1
od PLN 3 901,15*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramki:...
IXYS
IXFA3N120
od PLN 23,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 95 A Uce 650 V ACEPACK 2 275 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 95 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 275 W Typ opakowania = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
od PLN 234,479*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 250W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFP6N120P
od PLN 22,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN LFPAK4 100 V DC Montaż powierzchniowy 3 A MJK31CTWG (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 100 V DC Typ opakowania = LFPAK4 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementó...
onsemi
MJK31CTWG
od PLN 11,015*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,3A; Idm: 8A; 1,3W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W Polary...
Diodes
DMN10H220L-7
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN LFPAK4 80 V DC Montaż powierzchniowy 8 A NJVMJK44H11TWG (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 80 V DC Typ opakowania = LFPAK4 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów...
onsemi
NJVMJK44H11TWG
od PLN 3,944*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 2,2A; 125W; TO220-3 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryz...
ST Microelectronics
STP5NK100Z
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120S
od PLN 27,13*
za szt.
 
 szt.
Narzędzie rozwojowe z kategorii „zasilanie, silniki i robotyka” Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = IGBT Nazwa zestawu = EiceDRIVER Enhanced 1EDI302xAS/1EDI303xAS
Infineon
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1
od PLN 541,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTT6N120
od PLN 33,40*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.