Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 813 ofert spośród 5 040 365 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 2,25 V Montaż powierzchniowy 55 mA BFP843H6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 55 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,25 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba element...
Infineon
BFP843H6327XTSA1
od PLN 0,558*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,1A; 1,5W; SOT89 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT89 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
Diodes
ZXMN10A07ZTA
od PLN 0,735*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W P...
IXYS
IXTH4N150
od PLN 22,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy NPN PowerDI3333-8 40 V Montaż powierzchniowy 2 A DXTN22040DFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC...
Diodes
DXTN22040DFGQ-7
od PLN 0,901*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,225W; SOT23 (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipol...
onsemi
BSS123LT1G
od PLN 0,198*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy NPN SOT-563 12 V Montaż powierzchniowy 500 mA EMX18T2R (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia ROHM o napięciu znamionowym 12 V. Jest stosowany głównie w wzmacniaczu niskiej częstotliwości. Element tranzystorowy jest niezależny.Koszt montażu i powierzchnia m...
ROHM Semiconductor
EMX18T2R
od PLN 0,424*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
Microchip Technology
APT13F120B
od PLN 43,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 20 V Montaż powierzchniowy 80 mA BFP193WH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP193WH6327XTSA1
od PLN 0,334*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,3A; 1,3W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryz...
Diodes
DMN10H220LQ-7
od PLN 0,319*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W P...
IXYS
IXTH1N170DHV
od PLN 43,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -25 V Montaż powierzchniowy -3 A DXTP07025BFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -25 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
Diodes
DXTP07025BFGQ-7
od PLN 0,914*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI3333-8 -100 V. Montaż powierzchniowy -2 A DXTP22040CFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -100 V. Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
Diodes
DXTP22040CFGQ-7
od PLN 0,914*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTT12N150HV
od PLN 180,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 4 V Montaż powierzchniowy 70 mA BFP760H6327XTSA1 (2 ofert) 
Seria Infineon BFP to solidny dwubiegunowy tranzystor dwubiegunowy o niskim poziomie szumów, wstępnie dopasowany do częstotliwości radiowej. Nadaje się do zastosowań niskonapięcia, takich jak komun...
Infineon
BFP760H6327XTSA1
od PLN 0,511*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,5A; 1,1W; SOT26 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Polaryz...
Diodes
ZXMN10B08E6TA
od PLN 1,054*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.