Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 919 085 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor bipolarny NPN SOT-23 20 V Montaż powierzchniowy 65 mA BFR183E6327HTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 65 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BFR183E6327HTSA1
od PLN 0,338*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,3W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,3W Polaryza...
Diodes
BSS123-7-F
od PLN 0,0749*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 95 A Uce 650 V ACEPACK 2 275 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 95 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 275 W Typ opakowania = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
od PLN 198,494*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 26A; 960W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX26N120P
od PLN 103,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI5060-8 -100 V. Montaż powierzchniowy -3 A DXTP3C100PSQ-13 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -100 V. Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
Diodes
DXTP3C100PSQ-13
od PLN 0,921*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 1,83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3PF Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 1,83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 73W...
IXYS
IXTQ3N150M
od PLN 19,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,3W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzac...
Diodes
BSS123Q-7
od PLN 0,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,19A; 830mW (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,83W Polaryzac...
Nexperia
BST82,215
od PLN 0,39*
za szt.
 
 szt.
Narzędzie rozwojowe z kategorii „zasilanie, silniki i robotyka” Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna IGBT (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = IGBT Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = IGBT Nazwa zestawu = EiceDRIVED Enhanced 1EDI302xAS/1EDI303xAS
Infineon
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1
od PLN 539,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1204R7BFLLG
od PLN 42,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP PowerDI5060-8 -60 V Montaż powierzchniowy -30 A DXTP3C60PSQ-13 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -60 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu...
Diodes
DXTP3C60PSQ-13
od PLN 0,996*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W ...
IXYS
IXTT12N150
od PLN 42,64*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP650F tranzystor (1 Oferta)
Infineon
BFP650FH6327XTSA1
od PLN 0,715*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 10 V Montaż powierzchniowy 50 mA BFP520FH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 50 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 10 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP520FH6327XTSA1
od PLN 0,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,5A; 2W; SOT223 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacj...
Diodes
ZVN2110GTA
od PLN 0,964*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.