Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 917 868 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna Sterowanie silnikiem i napędy (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = Sterowanie silnikiem i napędy Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 2ED2106S06F, EVAL-M1-101T Nazwa zestawu = EVAL-M1-2E...
Infineon
EVALM12ED2106STOBO1
od PLN 898,305*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120S
od PLN 26,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN SOT-143 20 V Montaż powierzchniowy 20 mA BFP181E7764HTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 20 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-143 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BFP181E7764HTSA1
od PLN 0,386*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH6N150
od PLN 30,13*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP420F tranzystor (2 ofert)
Infineon
BFP420FH6327XTSA1
od PLN 0,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,8A; 0,625W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,625W Polar...
Diodes
ZXMN10A07FTA
od PLN 0,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 15 V Montaż powierzchniowy 25 mA BFP405FH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 25 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 15 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP405FH6327XTSA1
od PLN 0,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,96A; Idm: 12A; 3,1W (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unip...
Vishay
IRFL110TRPBF
od PLN 1,07*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna onsemi IGBT Płytka ewaluacyjna FOD8333 (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = IGBT Do użytku z = FOD8333 Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Nazwa zestawu = Output Current IGBT Drive Optocouplers
onsemi
FEBFOD8333-GEVB
od PLN 443,964*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120B
od PLN 30,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN SOT-23 20 V Montaż powierzchniowy 35 mA BFR182E6327HTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 35 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BFR182E6327HTSA1
od PLN 0,512*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 2A; 568W; TO247-3; 80ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 80ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W ...
IXYS
IXTH2N170D2
od PLN 51,67*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP843 tranzystor (1 Oferta)
Infineon
BFP843H6327XTSA1
od PLN 2,43*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,93A; 3,1W; SOT223 (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unip...
Vishay
IRLL110TRPBF
od PLN 1,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 2,25 V Montaż powierzchniowy 35 mA BFP840ESDH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 35 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,25 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP840ESDH6327XTSA1
od PLN 0,965*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.