Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 5A; 225W; TO3PN (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 225W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FQA8N100C
od PLN 13,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 15 V Montaż powierzchniowy 25 mA BFP405FH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 25 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 15 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP405FH6327XTSA1
od PLN 0,558*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 8,2A; 350W; TO247 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,56Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W Polaryza...
ST Microelectronics
STW13NK100Z
od PLN 21,06*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka rozszerzająca Płytki do testowania z podwójnym impulsem (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = Płytki do testowania z podwójnym impulsem Rodzaj zestawu = Płytka rozszerzająca Symbol układu = Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2 ...
Infineon
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1
od PLN 335,406*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT13F120B
od PLN 43,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 4,5 V Montaż powierzchniowy 100 mA BFP450H6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 4,5 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba element...
Infineon
BFP450H6327XTSA1
od PLN 1,174*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB042N10N3 G tranzystor 100 V (2 ofert)
Infineon
IPB042N10N3GATMA1
od PLN 4,929*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP540ESD tranzystor (1 Oferta)
Infineon
BFP540ESDH6327XTSA1
od PLN 3,99*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 2,25 V Montaż powierzchniowy 35 mA BFP840ESDH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 35 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,25 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP840ESDH6327XTSA1
od PLN 0,965*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy NPN PowerDI3333-8 40 V Montaż powierzchniowy 2 A DXTN22040DFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC...
Diodes
DXTN22040DFGQ-7
od PLN 0,973*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTT12N150HV
od PLN 178,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 80 V Montaż powierzchniowy 7,5 mA BFP620H7764XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 7,5 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 80 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP620H7764XTSA1
od PLN 1,355*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 100A; 214W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polary...
Texas Instruments
CSD19531KCS
od PLN 4,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,225W; SOT23 (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipol...
onsemi
BSS123LT1G
od PLN 0,179*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 20 V Montaż powierzchniowy 150 mA BFP196WH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 150 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP196WH6327XTSA1
od PLN 0,425*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.