Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 883 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,93A; 3,1W; SOT223 (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 760mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unip...
Vishay
IRLL110TRPBF
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN SOT-23 20 V Montaż powierzchniowy 35 mA BFR182E6327HTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 35 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BFR182E6327HTSA1
od PLN 0,576*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 8,3A; 230W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 230W Polaryza...
ST Microelectronics
STW11NK100Z
od PLN 7,72*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BFP740H6327XTSA1
od PLN 0,604*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W Polaryzacja: ...
Vishay
SQM120N10-3M8_GE3
od PLN 9,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,94A; 1,3W; DIP4 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,94A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRLD120PBF
od PLN 1,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN TO-247 650 V Otwór przezierny 100 A AFGHL50T65SQDC (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Maksymalna strata mocy = 238 W Konfigur...
onsemi
AFGHL50T65SQDC
od PLN 32,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 338W Polaryza...
Nexperia
PSMN4R3-100PS,127
od PLN 10,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,3A; Idm: 8A; 1,3W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W Polary...
Diodes
DMN10H220L-7
od PLN 0,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,2A; Idm: 7,6A; 2W (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 575mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja...
Nexperia
PMV213SN,215
od PLN 0,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-143 12 V Montaż powierzchniowy 80 mA BFP193E6327HTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 12 V Typ opakowania = SOT-143 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów...
Infineon
BFP193E6327HTSA1
od PLN 0,486*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,2W; SOT323 (3 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryz...
Diodes
BSS123W-7-F
od PLN 0,287*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
od PLN 0,81336*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 124A; 125W; DirectFET (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DirectFET Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 124A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
Infineon
IRF7769L2TRPBF
od PLN 41 386,40*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1,5A; 1,38W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,38W Pola...
Taiwan Semiconductor
TSM2328CX RFG
od PLN 2,30*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.