Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna Przetwarzanie danych, elektromobilność, sterowanie (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 1ED020I12-BT, 1ED020I12-FT Nazwa zestawu = EVAL-1ED020I12-BT
Infineon
EVAL1ED020I12BTTOBO1
od PLN 375,651*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFP3N120
od PLN 19,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 10 V Montaż powierzchniowy 50 mA BFP520FH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 50 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 10 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP520FH6327XTSA1
od PLN 1,189*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,42W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002P,215
od PLN 0,143*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090CDWR2G 22V (1 Oferta) 
ON Semiconductor NCD57090 to jednokanałowy sterownik bramki IGBT/MOSFET o wysokim natężeniu, z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności ...
onsemi
NCD57090CDWR2G
od PLN 5,688*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,325Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
SQ2308CES-T1_GE3
od PLN 0,599*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna Infineon 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 Sterownik bramki IGBT 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 (1 Oferta) 
Klasyfikacja = Płyta ewaluacyjna Nazwa zestawu = 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 Technologia = Sterownik bramki IGBT
Infineon
1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1
od PLN 481,673*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 4,3A; 160W; TO220-3 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polary...
ST Microelectronics
STP8NK100Z
od PLN 6,56*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna Sterowanie silnikiem & AMP; napędy, zasilacze (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = Sterowanie silnikiem & AMP; napędy, zasilacze Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 1ED020I12-B2, 1ED020I12-F2 Nazwa zes...
Infineon
EVAL1ED020I12B2TOBO1
od PLN 376,621*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; Idm: 15A; 175W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT4F120S
od PLN 19,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 10 V Montaż powierzchniowy 80 mA BFP540FESDH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 10 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP540FESDH6327XTSA1
od PLN 1,018*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench™; unipolarny; 200V; 75A; Idm: 320A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Po...
IXYS
IXTQ130N20T
od PLN 23,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090EDWR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Czas zanikania = 13ns
onsemi
NCD57090EDWR2G
od PLN 5,594*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench™; unipolarny; 200V; 75A; Idm: 320A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W...
IXYS
IXTH130N20T
od PLN 21,00*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna Infineon IGBT, Sterownik MOSFET Płytka ewaluacyjna MOSFET (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = IGBT, Sterownik MOSFET Do użytku z = MOSFET Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = Gate Driver IC Nazwa zestawu = EVAL-1ED3142MU12F-SIC
Infineon
EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
od PLN 325,982*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.