| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2216599 Nr producenta: NCD57090CDWR2G EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | ON Semiconductor NCD57090 to jednokanałowy sterownik bramki IGBT/MOSFET o wysokim natężeniu, z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach wymagających dużej mocy. Urządzenie obsługuje dodatkowe wejście i w zależności od konfiguracji pinu oferuje opcje takie jak aktywny zacisk Miller, ujemny zasilacz oraz oddzielne wyjście wysokiego i niskiego sterownika dla wygody projektowania systemu.Wysoka odporność na stany nieustalone Wysoka odporność elektromagnetyczna Krótkie opóźnienia rozchodzenia się z dokładnym dopasowaniem Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Prąd wyjściowy: | 6,5 A | Napięcie zasilania: | 22V | Liczba styków: | 8 | Czas zanikania: | 13ns | Typ opakowania: | SOIC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, Sterownik analogowy IC, Sterowniki analogowe IC, Sterownik IC, Sterowniki IC, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2216599, Półprzewodniki, Zarządzanie zasilaniem, Sterowniki bramki, onsemi, NCD57090CDWR2G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |