Moduł IGBT Ic 85 A Uce 650 V 4 20 mW

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2481201

Producent:
Infineon

Nr producenta:
F3L150R07W2H3B11BPSA1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 4

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	20 mW
Liczba tranzystorów:	4

Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2481201, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F3L150R07W2H3B11BPSA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 314,508*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 15 szt.	PLN 329,828*	PLN 405,688	za szt.
od 30 szt.	PLN 327,598*	PLN 402,946	za szt.
od 75 szt.	PLN 322,568*	PLN 396,759	za szt.
od 150 szt.	PLN 319,018*	PLN 392,392	za szt.
od 7500 szt.	PLN 314,508*	PLN 386,845	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.