Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 2 5,1 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445831
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF900R12IP4BOSA2
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 5,1 kW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
5,1 kW
Liczba tranzystorów:
2
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445831, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF900R12IP4BOSA2
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 2 467,554*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 2 802,336*
PLN 3 446,873
za szt.
od 2 szt.
PLN 2 620,754*
PLN 3 223,527
za szt.
od 5 szt.
PLN 2 571,244*
PLN 3 162,63
za szt.
od 10 szt.
PLN 2 534,134*
PLN 3 116,985
za szt.
od 500 szt.
PLN 2 467,554*
PLN 3 035,091
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.