Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 906 ofert spośród 4 928 924 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba...
onsemi
AFGHL50T65SQD
od PLN 4 644,522*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 38A; 280W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD40-06KC
od PLN 88,43*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 1 W (1 Oferta) 
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...
onsemi
AFGHL40T65SQ
od PLN 9,965*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 12A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP66923
od PLN 1,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 106 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
od PLN 11,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 60V; 44,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 44,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT66613L
od PLN 5,50*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO263 Pojedynczy kanał: N 270 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO263 Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
IGB50N65S5ATMA1
od PLN 9,349*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; 214W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polaryza...
ST Microelectronics
STW20NM50FD
od PLN 9,81*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 375 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
od PLN 14,902*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2A; 1,3W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W Polaryzac...
Diodes
ZXMS6005DGTA
od PLN 1,86*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...
onsemi
AFGHL50T65SQD
od PLN 9,907*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 35,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB66916L
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPAN60R125PFD7S tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPAN60R125PFD7SXKSA1
od PLN 4,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 238 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba...
onsemi
AFGHL40T65SQD
od PLN 12,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 600V; 7A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryz...
ST Microelectronics
STP11NM60FD
od PLN 5,97*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.