Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 304 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPP60R022S7XKSA1
od PLN 27,881*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-3L
onsemi
FGHL50T65MQDT
od PLN 15,995*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polaryzac...
SHINDENGEN
P66F7R5SN-5600
od PLN 3,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 25A; Idm: 70A; 35W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja:...
SHINDENGEN
P25B6EB-5071
od PLN 1,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 275 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ kanału = N L...
Infineon
IKW50N65EH5XKSA1
od PLN 16,003*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 300V; 160A; 1390W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1390W...
IXYS
IXFK160N30T
od PLN 51,99*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
od PLN 15,995*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja...
SHINDENGEN
P30B10EL-5071
od PLN 1,56*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 469 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 469 W Typ opakowania = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65LQDT
od PLN 24,289*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 140A; Idm: 560A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 217W P...
SHINDENGEN
P140LF4QL-5071
od PLN 2,70*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 106 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
od PLN 11,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 75V; 70A; Idm: 280A; 53W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 53W Polaryz...
SHINDENGEN
P70F7R5EN-5600
od PLN 4,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) 
Technologia Infineon TRENCHSTOP IGBT5 na nowo definiuje najlepszy w swojej klasie protokół IGBT, co prowadzi do obniżenia temperatury połączeń i obudowy, co prowadzi do większej niezawodności urząd...
Infineon
IGB50N65H5ATMA1
od PLN 9,241*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 280V; 26A; Idm: 104A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 280V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polary...
SHINDENGEN
P26F28HP2-5600
od PLN 4,61*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 375 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGHL75T65MQDTL4
od PLN 17,462*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.