Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 906 ofert spośród 4 928 885 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża moto...
SHINDENGEN
P70LF4QLK-5071
od PLN 2,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = TO-263 Typ kanału = N Lic...
Infineon
IGB50N65H5ATMA1
od PLN 6,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 30A; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: MTO3PV (TO247AD) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 310W Polar...
SHINDENGEN
P30W60HP2V-5100
od PLN 19,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
IKW50N65EH5XKSA1
od PLN 15,933*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 8A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 8A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka ...
Infineon
IRF7351TRPBF
od PLN 1,582*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 77 A Uce 600 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 178 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 77 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N L...
Infineon
IKFW90N60EH3XKSA1
od PLN 27,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 16,5A; 6,2W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 16,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 6,2W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOY66923
od PLN 1,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 306 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otwó...
Infineon
IGW40N60H3FKSA1
od PLN 10,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 217W Pol...
SHINDENGEN
P98LF6QN-5071
od PLN 2,68*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Maksymalna strata mocy = 1 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
onsemi
AFGHL40T65SQ
od PLN 5 044,1805*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 7A; Idm: 28A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,05Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 79W Polaryz...
SHINDENGEN
P7F60HP2-5600
od PLN 2,48*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) 
Technologia Infineon TRENCHSTOP IGBT5 na nowo definiuje najlepszy w swojej klasie protokół IGBT, co prowadzi do obniżenia temperatury połączeń i obudowy, co prowadzi do większej niezawodności urząd...
Infineon
IGB50N65H5ATMA1
od PLN 9,211*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 4,7A; Idm: 20A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 82mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS3890
od PLN 3,225*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 60V; 39A; 7,5W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7,5W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AONS62614T
od PLN 24,33*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; 190W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 97mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW34NM60ND
od PLN 14,05*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.