Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 919 028 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolarny; 600V; 11A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryza...
ST Microelectronics
STF24N60DM2
od PLN 6,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 280V; 17A; Idm: 68A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 280V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 79W Polary...
SHINDENGEN
P17F28HP2-5600
od PLN 3,31*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W (1 Oferta) 
SERIA ON Semiconductor AFGHL to IGBT, która zapewnia optymalną wydajność przy niskich stratach przewodzenia i przełączania dla operacji o wysokiej wydajności w różnych zastosowaniach, co nie wymaga...
onsemi
AFGHL75T65SQ
od PLN 12,873*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 60V; 39A; 7,5W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7,5W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AONS62614T
od PLN 5,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 200mA; Idm: 1,2A; 420mW (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Po...
Nexperia
BSS138PS,115
od PLN 0,262*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (2 ofert) 
Infineon 40 A IGBT z diodą antyrównoległą jest bardzo miękką, szybką diodą antyrównoległą z odzyskiwaniem i charakteryzuje się wysoką stabilnym zachowaniem w zakresie temperatury. Użyto niskiego po...
Infineon
IKY40N120CS6XKSA1
od PLN 19,514*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 6,3A; 90W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polary...
ST Microelectronics
STP11NM60ND
od PLN 4,433*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO263 Pojedynczy kanał: N 270 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = PG-TO263 Typ kanału = N L...
Infineon
IGB50N65S5ATMA1
od PLN 9,369*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 280V; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 280V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52,5W Polary...
SHINDENGEN
P8F28HP2-5600
od PLN 2,13*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
od PLN 32,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolarny; 650V; 5A; Idm: 24A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 674mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 43W Polaryz...
Infineon
IPP60R360CFD7XKSA1
od PLN 3,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 106 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
od PLN 11,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 3,1A; 4W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 4W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SQ9945BEY-T1_GE3
od PLN 2,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) 
Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 555 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy...
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
od PLN 26,934*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 600V; 12,6A; 214W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polary...
ST Microelectronics
STW20NM60FD
od PLN 11,25*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.