Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 301 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 13,5A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 13,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP66920
od PLN 1,98*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 306 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otwó...
Infineon
IGW40N60H3FKSA1
od PLN 10,439*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 40A; Idm: 40A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryz...
SHINDENGEN
P40B10SL-5071
od PLN 1,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
onsemi
AFGHL75T65SQDC
od PLN 898,4601*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 2A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSS62934
od PLN 1,77*
za 5 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
od PLN 27,083*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; Idm: 116A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF34NM60ND
od PLN 14,16*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = TO-263 Typ kanału = N Lic...
Infineon
IGB50N65H5ATMA1
od PLN 6,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 35,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT66916L
od PLN 4,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polary...
SHINDENGEN
P50F10SN-5600
od PLN 3,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
od PLN 24,762*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolarny; 650V; 5A; Idm: 24A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 674mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 43W Polaryz...
Infineon
IPP60R360CFD7XKSA1
od PLN 3,60*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 500 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46
Infineon
IKQ40N120CH3XKSA1
od PLN 30,418*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STP20NM50FD
od PLN 7,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba...
onsemi
AFGHL40T65SQ
od PLN 5 043,7125*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.