Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 301 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 42A; Idm: 168A; 40W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
SHINDENGEN
P42F6EN-5600
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 375 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGHL75T65MQDTL4
od PLN 12,953*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża moto...
SHINDENGEN
P70LF4QLK-5071
od PLN 2,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja...
SHINDENGEN
P26B10SL-5071
od PLN 1,40*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 1 W (1 Oferta) 
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...
onsemi
AFGHL40T65SQ
od PLN 9,915*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 500V; 10A; Idm: 40A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 79W Polary...
SHINDENGEN
P10F50HP2-5600
od PLN 2,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 270 W (1 Oferta) 
Trójpinowy tranzystor bibiegunowy z szybką izolacją i wysoką prędkością Infineon.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Infineon
AIGW50N65F5XKSA1
od PLN 18,277*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 70V; 80A; Idm: 320A; 128W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FG (TO263AB) Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 128W Polaryzacj...
SHINDENGEN
P80FG7R5EN-5071
od PLN 3,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 217W Pol...
SHINDENGEN
P98LF6QN-5071
od PLN 2,70*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 535 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otw...
ST Microelectronics
STGWA80H65DFBAG
od PLN 17,679*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polaryzacja:...
SHINDENGEN
P8B10SB-5071
od PLN 0,90*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...
onsemi
AFGHL50T65SQD
od PLN 9,907*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 500V; 5A; Idm: 20A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52,5W Polar...
SHINDENGEN
P5F50HP2F-5600
od PLN 1,68*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 Pojedynczy 250 W (1 Oferta) 
Infineon AIKW50N65RF5 to hybrydowa moc dyskretna z technologią SiC o najlepszych kosztach jest najważniejszym aspektem w zastosowaniach pomocniczych w pojazdach elektrycznych i hybrydowych. Hybrydo...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
od PLN 32,561*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polar...
SHINDENGEN
P40F10SN-5600
od PLN 2,85*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.