Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 823 ofert spośród 5 018 436 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 86 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 272 W (1 Oferta) 
Seria STMicroelectronics HB2 650 V IGBT stanowi ewolucję Advanced, opatentowanej konstrukcji bramki do rowów, która jest w pełni zabudowana. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem pr...
ST Microelectronics
STGWA50HP65FB2
od PLN 9,178*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 710V; 13A; Idm: 88A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 710V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 139mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polary...
ST Microelectronics
STP30N65M5
od PLN 14,41*
za szt.
 
 szt.
IGBT IRFD9210PBF, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
IRFD9210PBF
od PLN 1,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolarny; 600V; 26A; 300W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW48N60M2
od PLN 22,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT IRFIBF20GPBF, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
IRFIBF20GPBF
od PLN 2,183*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD47-06KC5
od PLN 93,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 A Uce 650 V PG-TO247-4 273 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 273 W Typ opakowania = PG-TO247-4 Liczb...
Infineon
IKZ50N65EH5XKSA1
od PLN 14,652*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolarny; 650V; 43A; Idm: 260A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 450W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA70N65DM6
od PLN 29,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
od PLN 6,664*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 600V; 12A; 30W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
ST Microelectronics
STF24N60M2
od PLN 5,628*
za szt.
 
 szt.
IGBT IRFP27N60KPBF, Vishay (3 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
IRFP27N60KPBF
od PLN 15,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryza...
ST Microelectronics
STW28N65M2
od PLN 10,79*
za szt.
 
 szt.
IGBT IRL620PBF, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
IRL620PBF
od PLN 5,265*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1W; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Diodes
ZXMS6006SGTA
od PLN 2,37*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 86 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 272 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 86 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 272 W Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba st...
ST Microelectronics
STGB50H65FB2
od PLN 5,003*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1389   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.