Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 441/1 389)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 90A (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...

ST Microelectronics

STF35N65DM2

od PLN 17,00*
za szt.

IGBT Ic 900 A Uce 1200 V AG-ECONOD Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-ECONOD Typ kanału = ...

Infineon

FF900R12ME7B11BOSA1

od PLN 6 439,51002*
za 6 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 15,8A; Idm: 78A (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Pola...

ST Microelectronics

STF33N60M6

od PLN 12,08*
za szt.

IGBT IRF730ASPBF, Vishay (2 ofert)

Tranzystory MOSFET

Vishay

IRF730ASPBF

od PLN 1,966*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 12,6A; 35W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 135mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polar...

ST Microelectronics

STF26NM60N

od PLN 5,607*
za szt.

IGBT IRFU120PBF, Vishay (2 ofert)

Tranzystory MOSFET

Vishay

IRFU120PBF

od PLN 1,81*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 900V; 9A; Idm: 60A (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryza...

ST Microelectronics

STF16N90K5

od PLN 12,959*
za szt.

IGBT PG-TO-220-3 110 W (1 Oferta)

Maksymalna strata mocy = 110 W Typ opakowania = PG-TO-220-3

Infineon

IGP10N60TXKSA1

od PLN 8,387*
za 2 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 650V; 30A; 360W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W Polaryzac...

ST Microelectronics

STW56N65DM2

od PLN 27,28*
za szt.

IGBT IRFBC40APBF, Vishay (1 Oferta)

Tranzystory MOSFET

Vishay

IRFBC40APBF

od PLN 5,335*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 102A (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryza...

ST Microelectronics

STF36N60M6

od PLN 13,284*
za szt.

IGBT IRF820ASPBF, Vishay (2 ofert)

Tranzystory MOSFET

Vishay

IRF820ASPBF

od PLN 1,50*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 20A; 250W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 92mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...

ST Microelectronics

STW34NM60N

od PLN 16,264*
za szt.

IGBT IRFU9024PBF, Vishay (3 ofert)

Tranzystory MOSFET

Vishay

IRFU9024PBF

od PLN 1,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 550V; 10A; 110W; ESD (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 550V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 192mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polary...

ST Microelectronics

STP18N55M5

od PLN 5,441*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 441 442 443 444 445 446 447 448 449 450 451 .. 1389 Dalej

Tranzystor (20 823 ofert spośród 5 018 385 artykułów)

"Tranzystor"