Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 872 ofert spośród 5 020 592 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT SI7414DN-T1-E3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SI7414DN-T1-E3
od PLN 7 068,03*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
IGBT SIS476DN-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIS476DN-T1-GE3
od PLN 1,801*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO-220-3 110 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 110 W Typ opakowania = PG-TO-220-3
Infineon
IGP10N60TXKSA1
od PLN 8,397*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 78A; 625W; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryza...
ST Microelectronics
STY139N65M5
od PLN 96,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 45A; Idm: 288A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA75N60M6
od PLN 32,768*
za szt.
 
 szt.
IGBT SI7489DP-T1-E3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory IGBT
Vishay
SI7489DP-T1-E3
od PLN 13 672,47*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 110A; 480W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W ...
IXYS
IXTT110N10P
od PLN 19,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT SQJ488EP-T1_GE3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SQJ488EP-T1_GE3
od PLN 7 963,83*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon IPD90N04S4-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IPD90N04S404ATMA1
od PLN 3,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO220-3 188 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IGP30N65F5XKSA1
od PLN 7,956*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 600V; 12A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polary...
ST Microelectronics
STP24N60M2
od PLN 6,92*
za szt.
 
 szt.
IGBT SI7119DN-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SI7119DN-T1-GE3
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 11,3A; 130W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Pola...
ST Microelectronics
STP20N65M5
od PLN 7,72*
za szt.
 
 szt.
IGBT SI7898DP-T1-E3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SI7898DP-T1-E3
od PLN 8 768,25*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 200A; 800W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W...
IXYS
IXTK200N10P
od PLN 40,96*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1392   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.