Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 919 032 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Uce 650 V PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IGP40N65F5XKSA1
od PLN 15,012*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 800V; 16A; 460W; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W...
IXYS
IXFH16N80P
od PLN 22,51*
za szt.
 
 szt.
IGBT SQJ457EP-T1_GE3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SQJ457EP-T1_GE3
od PLN 1,782*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB120N06S4-02 tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
IPB120N06S402ATMA2
od PLN 5,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 2,6 V NFAQ (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,6 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Typ opakowania = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
od PLN 28,393*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 650V; 11A; Idm: 68A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
ST Microelectronics
STP24NM60N
od PLN 5,884*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V AG-ECONOD-411 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONOD-411
Infineon
FF600R07ME4B11BPSA1
od PLN 6 081,783*
za 10 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 300V; 88A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W P...
IXYS
IXTT88N30P
od PLN 37,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65ET7XKSA1
od PLN 12,385*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 800V; 3,6A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 560ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W ...
IXYS
IXTA4N80P
od PLN 5,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT SQM120P06-07L_GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SQM120P06-07L_GE3
od PLN 6,526*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP17N25S3-100 tranzystor 250 V (1 Oferta)
Infineon
IPP17N25S3100AKSA1
od PLN 7,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP50R06KE3BPSA1
PLN 7 198,558*
za 15 szt.
 
 paczka
Infineon IPB180N04S4-H0 tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
IPB180N04S4H0ATMA1
od PLN 6,66*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW20N65ET7XKSA1
od PLN 277,715*
za 30 szt.
 
 paczka
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.