 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 4,992*
za szt. |
|
|
Tranzystor: NPN; bipolarny; 30V; 0,1A; 0,25W; SOT23 (1 Oferta) Producent: CDIL Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Częstotliwość: 300MHz Napięcie kolektor-emiter: 30V Wzmocnienie tranzystora: 200...450 Prąd kolektora: 0,1A Typ tranzystora: NPN Moc rozpraszana: 0,25W Po... |
|
od PLN 0,55*
za 10 szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2C-311 155 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 155 W Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 439,249*
za szt. |
|
|
Tranzystor: NPN; bipolarny; 30V; 0,1A; 0,2W; SOT23 (1 Oferta) Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Częstotliwość: 100MHz Napięcie kolektor-emiter: 30V Wzmocnienie tranzystora: 200...450 Prąd kolektora: 0,1A Typ tranzystora: NPN Moc rozpras... |
|
od PLN 0,91*
za 25 szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W (2 ofert) Infineon IHW40N65R6 to 650 V, 40 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ... |
|
od PLN 6,919*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 4,671*
za 2 szt. |
|
|
Tranzystor: NPN; bipolarny; 30V; 0,1A; 200mW; SOT23 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Częstotliwość: 200MHz Napięcie kolektor-emiter: 30V Wzmocnienie tranzystora: 200...450 Prąd kolektora: 0,1A Typ tranzystora: NPN Moc rozpras... |
ROHM Semiconductor BC848BT116 |
od PLN 0,127*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor: NPN; bipolarny; 30V; 0,1A; 0,2W; SOT23 (1 Oferta) Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Częstotliwość: 100MHz Napięcie kolektor-emiter: 30V Wzmocnienie tranzystora: 420...800 Prąd kolektora: 0,1A Typ tranzystora: NPN Moc rozpras... |
|
od PLN 1,245*
za 25 szt. |
|
|
IGBT Uce 1700 V AG-62MMHB-411 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-62MMHB-411 |
|
od PLN 791,226*
za szt. |
|
|
Tranzystor: NPN; bipolarny; 30V; 0,1A; 0,2W; SOT323 (1 Oferta) Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Częstotliwość: 100MHz Napięcie kolektor-emiter: 30V Wzmocnienie tranzystora: 420...800 Prąd kolektora: 0,1A Typ tranzystora: NPN Moc rozpra... |
YANGJIE TECHNOLOGY BC848CW |
od PLN 0,91*
za 25 szt. |
|
|
IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta) Stop Rowu, Pole, 4. Generacja, niskie Vcessiat IGBT, pakowane razem z diodą o pełnym prądzie znamionowymMaksymalna temperatura złącza: TJ = 175℃ Współczynnik dodatniej temperatury dla łatwej pracy ... |
|
od PLN 844,6002*
za 30 szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,06*
za 5 szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V AG-ECONOD-411 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONOD-411 |
Infineon FF600R07ME4B11BPSA1 |
od PLN 592,946*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,92*
za 25 szt. |
|
|
