Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 906 ofert spośród 4 928 399 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 95A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 210W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW45N60DM6
od PLN 18,71*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 81 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 231 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 81 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 231 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = M...
Vishay
VS-GT75NA60UF
od PLN 1 054,30*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 60A; Idm: 240A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzac...
SHINDENGEN
P60B6EL-5071
od PLN 1,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polary...
SHINDENGEN
P50F10SN-5600
od PLN 3,41*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 Pojedynczy 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styk...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
od PLN 6 836,9016*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 500V; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Polaryzacj...
SHINDENGEN
P8F50HP2-5600
od PLN 1,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 83 A Uce 650 V PG-TO247-3 251 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 83 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 251 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków...
Infineon
IHW50N65R6XKSA1
od PLN 9,316*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 1200V; 7,6A; 40W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,69Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polar...
ST Microelectronics
STF12N120K5
od PLN 35,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W P...
SHINDENGEN
P32LF10SL-5071
od PLN 2,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO247-3 428 W (1 Oferta) 
Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon z dodatnim współczynnikiem temperatury w napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakł...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
od PLN 35,504*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W Pol...
SHINDENGEN
P25LF12SN-5071
od PLN 3,41*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 81 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 231 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 81 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 231 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = M...
Vishay
VS-GT75LA60UF
od PLN 1 140,98*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 15A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W Polary...
SHINDENGEN
P15F60HP2F-5600
od PLN 4,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 A Uce 650 V 1 TO-247GE 277 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 277 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
od PLN 17,901*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 900V; 25A; Idm: 160A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW40N90K5
od PLN 51,70*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.