Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 065 ofert spośród 4 821 404 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD47-06KC5
od PLN 93,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 86 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 272 W (1 Oferta) 
Seria STMicroelectronics HB2 650 V IGBT stanowi ewolucję Advanced, opatentowanej konstrukcji bramki do rowów, która jest w pełni zabudowana. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem pr...
ST Microelectronics
STGWA50HP65FB2
od PLN 9,188*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 42A; Idm: 168A; 40W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
SHINDENGEN
P42F6EN-5600
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba...
onsemi
AFGHL40T65SQ
od PLN 5 046,5025*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STP20NM50FD
od PLN 7,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 86 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 272 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 86 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 272 W Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba st...
ST Microelectronics
STGB50H65FB2
od PLN 5,023*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W ...
IXYS
IXFK360N15T2
od PLN 87,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 200V; 110A; 960W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96...
IXYS
IXTX110N20L2
od PLN 115,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
od PLN 12,817*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 126A; Idm: 504A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FP (SC83 similar) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 126A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 238W Pol...
SHINDENGEN
P126FP10SN-5071
od PLN 6,08*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N ...
onsemi
AFGHL50T65SQD
od PLN 4 658,4405*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 52,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65GC13
od PLN 6 579,654*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 75V; 500A; 830W; SMPD (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 500A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W P...
IXYS
MMIX1F520N075T2
od PLN 68,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 275 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ kanału = N L...
Infineon
IKW50N65EH5XKSA1
od PLN 16,063*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1405   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.