Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 919 032 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 500V; 20A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W Polary...
SHINDENGEN
P20F50HP2-5600
od PLN 3,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 A Uce 650 V PG-TO247-3 227 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 227 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
IGW30N65L5XKSA1
od PLN 9,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; Idm: 116A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF34NM60ND
od PLN 14,10*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 90 A Uce 600 V PG-TO263-3 333 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 333 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczba styków...
Infineon
IGB50N60TATMA1
PLN 10,432*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolarny; 600V; 26A; 300W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW48N60M2
od PLN 22,63*
za szt.
 
 szt.
IGBT IRF9Z24SPBF, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
IRF9Z24SPBF
od PLN 2,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 102A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryza...
ST Microelectronics
STF36N60M6
od PLN 14,511*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 500V; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Polaryzacj...
SHINDENGEN
P8F50HP2-5600
od PLN 1,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.77 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT00TS65DGC13
od PLN 9,692*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STP20NM50FD
od PLN 7,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 90 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż n...
Vishay
VS-GT100LA65UF
od PLN 137,607*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryza...
ST Microelectronics
STW28N65M2
od PLN 10,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 45A; Idm: 288A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW75N60M6
od PLN 32,66*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.77 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT00TS65DGC13
od PLN 16,235*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 15A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W Polary...
SHINDENGEN
P15F60HP2F-5600
od PLN 4,50*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.