Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 81 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 231 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2741342
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     VS-GT75NA60UF
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 81 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V
Maksymalna strata mocy = 231 W
Typ opakowania = SOT-227
Typ montażu = Montaż na panelu
Typ kanału = N
Liczba styków = 4
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
81 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
± 20V
Maksymalna strata mocy:
231 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
SOT-227
Typ montażu:
Montaż na panelu
Typ kanału:
N
Liczba styków:
4
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2741342, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Vishay, VSGT75NA60UF
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 054,30*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 105,43* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 1 349,49*
PLN 1 659,8727
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 1 315,01*
PLN 1 617,4623
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 1 204,26*
PLN 1 481,2398
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 1 087,86*
PLN 1 338,0678
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 1 054,30*
PLN 1 296,789
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.