Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 906 ofert spośród 4 928 603 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
od PLN 27,654*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 58W Polaryz...
SHINDENGEN
P82F7R5SN-5600
od PLN 4,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W (1 Oferta) 
SERIA ON Semiconductor AFGHL to IGBT, która zapewnia optymalną wydajność przy niskich stratach przewodzenia i przełączania dla operacji o wysokiej wydajności w różnych zastosowaniach, co nie wymaga...
onsemi
AFGHL75T65SQ
od PLN 12,853*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...
Diodes
DMN4031SSDQ-13
od PLN 0,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 31/72,5A; 8,5/18W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 31/72,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/2mΩ T...
Alpha & Omega Semiconductor
AONY36352
od PLN 2,28*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W (1 Oferta) 
SERIA ON Semiconductor AFGHL to IGBT, która zapewnia optymalną wydajność przy niskich stratach przewodzenia i przełączania dla operacji o wysokiej wydajności w różnych zastosowaniach, co nie wymaga...
onsemi
AFGHL75T65SQDC
od PLN 25,606*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 40V; 60A; Idm: 240A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzac...
SHINDENGEN
P60B4EL-5071
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
od PLN 29,702*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 140A; Idm: 560A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,48mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża mo...
SHINDENGEN
P140LF4QNK-5071
od PLN 2,79*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
od PLN 32,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 6A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pol...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4840E
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 55/85A; 9,6/20W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 55/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5/1,4mΩ Typ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6932
od PLN 3,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
od PLN 29,343*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 53W Polaryz...
SHINDENGEN
P70F5EN-5600
od PLN 4,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; Idm: 116A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF34NM60ND
od PLN 14,03*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.