Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 301 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,7W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4946BEY-T1-GE3
od PLN 2,05*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 30 TO-247 153 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 153 W Typ opakowania = TO-247
onsemi
FGH4L40T120LQD
od PLN 25,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 55A; Idm: 220A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryz...
SHINDENGEN
P55F6EN-5600
od PLN 3,10*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP75R12N2T7B11BPSA1
od PLN 498,736*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 4,7A; Idm: 20A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 82mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS3890
od PLN 3,235*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
IKZ75N65ES5XKSA1
od PLN 23,463*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 105A; Idm: 315A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 105A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W Po...
SHINDENGEN
P105LF4QN-5071
od PLN 1,88*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczba styków...
Infineon
AIKW50N60CTXKSA1
od PLN 27,841*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 6,2A; 1,4W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,4W Polary...
Diodes
DMTH6016LSD-13
od PLN 1,618*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3 394 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±25 V Maksymalna strata mocy = 394 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Licz...
Infineon
IHW40N120R5XKSA1
od PLN 11,532*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 126A; Idm: 504A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FP (SC83 similar) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 126A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 238W Pol...
SHINDENGEN
P126FP10SN-5071
od PLN 6,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 395 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = TO-247 Typ montaż...
Infineon
IKZ75N65EH5XKSA1
od PLN 22,177*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 22,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 22,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF66920L
od PLN 2,85*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N Liczba ...
Infineon
IKY40N120CS6XKSA1
od PLN 19,594*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W Pol...
SHINDENGEN
P64LF6QL-5071
od PLN 1,94*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.