Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 906 ofert spośród 4 928 885 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
od PLN 35,265*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 7,4A; 3,9W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 7,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,9W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SQ4284EY-T1_GE3
od PLN 4,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,5A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6910
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
od PLN 26,872*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 75V; 70A; Idm: 280A; 53W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 53W Polaryz...
SHINDENGEN
P70F7R5EN-5600
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN06N60RC2ATMA1
od PLN 3 737,25*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STP20NM50FD
od PLN 7,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (1 Oferta) 
Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon wysokiej prędkości 5. Generacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Infineon
IKB40N65ES5ATMA1
od PLN 11,421*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 8A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4884
od PLN 0,93*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP75R12N2T7PB11BPSA1
od PLN 478,611*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
Diodes
DMG4800LSD-13
od PLN 0,705*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 77 A Uce 600 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Infineon IKFW90N60EH3 jest bardzo miękką, szybką diodą antyrównoległą do odzyskiwania i użył w 100% izolowanej powierzchni montażowej, a także ma szybkie przełączanie. Ma łatwe połączenie równoległ...
Infineon
IKFW90N60EH3XKSA1
od PLN 30,889*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 126A; Idm: 504A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FP (SC83 similar) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 126A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 238W Pol...
SHINDENGEN
P126FP10SN-5071
od PLN 5,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 51,87*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN06N60RC2ATMA1
od PLN 2,492*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.