Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 919 028 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO247-3 428 W (1 Oferta) 
Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon z dodatnim współczynnikiem temperatury w napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakł...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
od PLN 41,663*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 40V; 60A; Idm: 240A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzac...
SHINDENGEN
P60B4EL-5071
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba...
onsemi
AFGHL50T65SQD
PLN 9,228*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 3A; Idm: 12A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52,5W Polary...
SHINDENGEN
P3F60HP2-5600
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 83 A Uce 650 V PG-TO247-3 251 W (1 Oferta) 
Infineon IHW50N65R6 to 650 V, 50 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ...
Infineon
IHW50N65R6XKSA1
od PLN 8,338*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL602LG
od PLN 233,26*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±25 V Maksymalna strata mocy = 394 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Licz...
Infineon
IHW40N135R5XKSA1
od PLN 12,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polaryzacja:...
SHINDENGEN
P16B6SB-5071
od PLN 1,26*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 D2PAK Pojedynczy kanał: N 238 W (1 Oferta) 
Stosowanie nowego pola kończy technologię IGBT 4. Generacji. Sieć AFGB40T65SQDN zapewnia optymalną wydajność przy niskiej utracie przewodzenia i utracie przełączania, co zapewnia wysoką wydajność w...
onsemi
AFGB40T65SQDN
od PLN 10,218*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryza...
SHINDENGEN
P34F6EL-5600
od PLN 1,99*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 375 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
od PLN 14,922*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 15A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzy...
IXYS
FMD15-06KC5
od PLN 48,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 A Uce 650 V 1 TO-247GE 277 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 277 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
PLN 16,805*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 17A; 40W; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF35N60DM2
od PLN 12,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzac...
SHINDENGEN
P66F7R5SNK-5600
od PLN 4,39*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.