Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 301 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 145 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu = Otwó...
Infineon
IKWH70N65WR6XKSA1
od PLN 13,097*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 7,4A; 3,9W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 7,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,9W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SQ4284EY-T1_GE3
od PLN 4,18*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP75R12N3T7BPSA1
od PLN 539,812*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA60R170CFD7XKSA1
od PLN 6,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
od PLN 27,714*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7A; 1,6W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS8984
od PLN 1,15*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
od PLN 29,483*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 4,1A; 0,8W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 4,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,8W Polaryz...
Diodes
DMN6040SSD-13
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH80TS65GC13
od PLN 12,701*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 8A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4884
od PLN 0,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż...
Infineon
FP75R12N2T7BPSA2
od PLN 445,909*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN60R280PFD7SXKSA1
od PLN 2,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
od PLN 29,822*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4832
od PLN 1,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 404 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
od PLN 27,002*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.