Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 114 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0051 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 114 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJ152EP-T1_GE3
od PLN 1,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 710V; 13A; Idm: 88A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 710V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 139mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polary...
ST Microelectronics
STP30N65M5
od PLN 14,17*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQS142ELNW-T1_GE3
od PLN 2,344*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 116 A TO-247-4L 900 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
onsemi
NTH4L020N090SC1
od PLN 219,247*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A PowerPAK SO-8 45 V SMD 0.00271 Ω, 0.00397 Ω (2 ofert) 
Wzmacniacz Vishay SIR150DP-T1-RE3 to N-kanałowy tranzystor MOSFET 45V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Napięcie wyłączenia źródła odpływowego 45 V. Przeznaczone do niskiego poziomu Q...
Vishay
SIR150DP-T1-RE3
od PLN 1,311*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 102A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryz...
ST Microelectronics
STP36N60M6
od PLN 12,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 114 A SuperSO8 5 x 6 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 114 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na...
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1
od PLN 47 238,40*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 110 A PowerPAK SO-8 45 V SMD 0.00271 Ω, 0.00397 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
Vishay
SIR150DP-T1-RE3
od PLN 1,416*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 4,4A; 25W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STF8N65M5
od PLN 7,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A PQFN 5 x 6 100 V SMD 0.0076 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMFS7D8N10GTWG
od PLN 19 012,11*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon BSZ028N04LS tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
BSZ028N04LSATMA1
od PLN 1,824*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 600V; 7A; 25W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryza...
ST Microelectronics
STF13N60M2
od PLN 4,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A PQFN 5 x 6 100 V SMD 0.0076 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ...
onsemi
NTMFS7D8N10GTWG
od PLN 8,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 119 A HiP247-4 650 V 0.024 O (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 119 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTWA90N65G2V-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źród...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
od PLN 118,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A SOT669 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Nexperia
BUK9Y8R8-60ELX
od PLN 8,043*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.