| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2296473 Nr producenta: NTMFS7D8N10GTWG EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0076 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 110 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PQFN 5 x 6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0076 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2296473, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFS7D8N10GTWG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |