Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 869 ofert spośród 5 026 382 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1kV; 20A; 660W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W...
IXYS
IXFH20N100P
od PLN 34,16*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD70R360P7SAUMA1
od PLN 1,093*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 82A; 500W; TO268 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Obu...
IXYS
IXTT82N25P
od PLN 31,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A ECOPACK 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
ST Microelectronics
STL260N4F7
od PLN 8,311*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12,5 A HSOF-8 600 V SMD 0.19 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolGaN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
od PLN 48,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 16A; 660W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFH16N120P
od PLN 53,61*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB120N08S404ATMA1
od PLN 5 278,65*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1kV; 4A; 150W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa:...
IXYS
IXFA4N100P
od PLN 8,90*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPSA70R360P7SAKMA1
od PLN 90,62025*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 300V; 36A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTQ36N30P
od PLN 11,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-HSOF-5 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1
od PLN 2,668*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 200V; 210A; 1500W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFB210N20P
od PLN 97,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12,5 A IPAK SL (TO-251 SL) 700 V 360 MO (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUNER(SJ) i pionierem technologii Infineon. Najnowsza płyta C...
Infineon
IPS70R360P7SAKMA1
od PLN 1,717*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 30A; 1250W; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
IXYS
IXFB30N120P
od PLN 144,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A LFPAK56E 100 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = LFPAK56E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ...
Nexperia
PSMN4R8-100YSEX
od PLN 6,78*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.