Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 849 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -30V, -4A, SO-8 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7306TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-4 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=18 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-źród...
Infineon
IRF7306TRPBF
od PLN 1,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11,8 A MLPAK33 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXN7R7-25QLJ
od PLN 0,733*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 95A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 210W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW45N60DM6
od PLN 18,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A U-DFN2020 20 V SMD 0.024 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Diodes
DMN29M9UFDF-7
od PLN 3,66*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 11,8 A U-DFN2020 40 V SMD 0.0095 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMT4008LFDF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Diodes
DMT4008LFDF-7
od PLN 1,661*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A PowerPAK SO-8 100 V SMD 0.0056 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = N-Channel 100 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...
Vishay
SIR5102DP-T1-RE3
od PLN 7,816*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 900V; 13A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STP20N90K5
od PLN 14,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11.9 A, 30.2 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0,015 oma (1 Oferta) 
MOSFET w trybie wzmocnienia dwukanałowego kanału N DiodesZetex 40V, 8-pinowego, został zaprojektowany w celu zminimalizowania oporu przy włączaniu, a jednocześnie utrzymania najwyższej wydajności p...
Diodes
DMT47M2LDV-7
od PLN 2,501*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 1200V; 7,6A; 40W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,69Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polar...
ST Microelectronics
STF12N120K5
od PLN 35,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -50V, -130mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS84, Ciągły prąd drenu (Id)=-130 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=7 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=-50 V, Rezy...
NXP
BSS84
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11,3 A PowerPAK 1212-8S 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SISS42LDN-T1-GE3
od PLN 2,785*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 1500V; 4A; 250W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW12N150K5
od PLN 29,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11.9 A, 30.2 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0,015 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11.9 A, 30.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMT47 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Diodes
DMT47M2LDV-7
od PLN 1,442*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 1200V; 3,5A; Idm: 12A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryz...
ST Microelectronics
STP8N120K5
od PLN 20,39*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRFR9024N tranzystor 30 V (2 ofert)
Infineon
IRFR9024NTRLPBF
od PLN 1,392*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.