| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
ST Microelectronics STWA75N60M6 |
od PLN 32,798* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 115 A TO-252 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RD3L07BBGTL1 |
od PLN 4,636* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STW18N60M2 |
od PLN 5,77* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 110 A SOT669 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 5,92* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD16N60M6 |
od PLN 4,241* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 111 A TO-247 650 V 0.018 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 111 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.... |
Infineon IPW60R018CFD7XKSA1 |
od PLN 61,658* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP20N65M5 |
od PLN 7,66* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 116 A DFN 100 V SMD 0.0043 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = NTMFS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 6,617* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,288* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD15N60DM6 |
od PLN 3,876* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP24N60M2 |
od PLN 6,84* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 112 A TO-220 150 V 0.0076 Ω (1 Oferta) Superzłącze MOSFET 600V Cool MOS P7 nadal równowaga między potrzebą wysokiej wydajności a łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepszy w swojej klasie RonxA i niski poziom naładowania bram... |
|
od PLN 14,834* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,676* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STF22NM60N |
od PLN 5,38* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,027* za szt. |
|
|