MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 555/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPB60R280P7 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPB60R280P7ATMA1

od PLN 3,798*
za szt.

Infineon IPD90N04S4-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPD90N04S404ATMA1

od PLN 2,97*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 117 A PQFN 5 mm x 6 mm 40 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 117 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PQFN 5 mm x 6 mm Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFH7446TRPBF

od PLN 1,758*
za szt.

Infineon BSP613P tranzystor 100 V (3 ofert)

Infineon

BSP613PH6327XTSA1

od PLN 1,81*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0,32 oma (1 Oferta)

Tranzystory MOSFET STMicroelectronics N-Channel MDMesh M6 Power MOSFET zawierają najnowsze osiągnięcia w zakresie dobrze znanej i skonsolidowanej rodziny tranzystorów MOSFET MDMesh. Urządzenia MDMe...

ST Microelectronics

STD16N60M6

od PLN 5,464*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220 700 V 0.19 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...

Infineon

IPP65R190CFD7XKSA1

od PLN 6,12*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12 A D2PAK (TO-263) SMD Pojedynczy 160 W 350 miliomów (1 Oferta)

MDmesh™ to nowa rewolucyjna technologia MOSFET, która łączy proces Multiple Drain z poziomym układem PowerMESH™ firmy. Produkt ten charakteryzuje się wyjątkowo niską odpornością na uderzenia, impon...

ST Microelectronics

STB12NM50T4

od PLN 8,912*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolarny; 40V; 120A; 300W (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...

Infineon

IPP120N04S302AKSA1

od PLN 9,55*
za szt.

Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Kanał N, 800V, 17.4A, TO-247AC (3 ofert)

Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Typ=SIHG21N80AE-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=17.4 A, Czas narastania=38 ns, Czas opadania=76 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=71 ns, Czas opóźnienia włączenia=21 ns, ...

Vishay

SIHG21N80AE-GE3

od PLN 9,934*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 119 A HiP247 650 V 0,024 oma (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET STMicroelectronics 650V z węglika krzemu ma prąd znamionowy 119A i rezystancję spustu do źródła 18 m. Charakteryzuje się niską opornością na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą w...

ST Microelectronics

SCTW90N65G2V

od PLN 94,83*
za szt.

Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Kanał N, 800V, 2.9A, TO-252 (3 ofert)

Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Typ=SIHD2N80AE-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=2.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=23 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Nap...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

od PLN 1,909*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 338 m.Ω (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET wysokiego napięcia STMicroelectronics z kanałem N jest częścią serii szybkiej regeneracji Mesh DM6. W porównaniu z poprzednią generacją sieci Mesh FAST, DM6 łączy bardzo niski poz...

ST Microelectronics

STD15N60DM6

od PLN 4,009*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 5A; 70W; IPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja...

ST Microelectronics

STU10NM60N

od PLN 2,27*
za szt.

Infineon IPA60R280P7 tranzystor 650 V (1 Oferta)

Infineon

IPA60R280P7XKSA1

od PLN 4,997*
za szt.

Infineon IPD60R280P7S tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPD60R280P7SAUMA1

od PLN 1,951*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 551 552 553 554 555 556 557 558 559 560 561 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

"MOSFET"