Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 64A; 400W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTT64N25P
od PLN 18,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220F 650 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
FCPF250N65S3R0L-F154
od PLN 7,738*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 140A; 600W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W P...
IXYS
IXTQ140N10P
od PLN 20,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12,5 A DFN2020 80 V SMD 42 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Infineon
IRL80HS120
od PLN 1,665*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 500V; 37A; 300W; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXFR64N50P
od PLN 50,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220 800 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
ST Microelectronics
STP80N340K6
od PLN 8,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TDSON 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1
od PLN 4,07028*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 82A; 500W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W P...
IXYS
IXTK82N25P
od PLN 24,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12 A WDFN 80 V SMD Pojedynczy 18 W 55 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = WDFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NVTFS6H888NTAG
od PLN 4,28*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 75A; 360W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTA75N10P
od PLN 10,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12,5 A HSOF-8 600 V SMD 0.19 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolGaN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
od PLN 58,397*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 0,8A; 50W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W P...
IXYS
IXTA08N120P
od PLN 8,32*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPAW60R280P7S tranzystor 650 V (1 Oferta)
Infineon
IPAW60R280P7SXKSA1
od PLN 163,46025*
za 45 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 300V; 88A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W P...
IXYS
IXTT88N30P
od PLN 37,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TO252-3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD038N06NF2SATMA1
od PLN 6,97*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.