Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVRG
od PLN 47,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 122 A HSOF-8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPT063N15N5ATMA1
od PLN 10,567*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 69A; 500W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 330ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 69A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Po...
IXYS
IXTQ69N30P
od PLN 25,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0009 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor Infineon Power MOSFET jest używany do zastosowań motoryzacyjnych. Przetestowano n kanał MOSFET i 100 procent lawiny. Jest to zestaw bez ołowiu o najwyższym poziomie jakości i solidności ...
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1
PLN 4,657*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVRG
od PLN 80,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 122 A PG-TO220-3-1 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TO220-3-1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC030N03LSGATMA1
od PLN 1,483*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18LVRG
od PLN 85,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 121 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
ISC028N04NM5ATMA1
od PLN 3,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45BVFRG
od PLN 48,68*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSC030N03LS G tranzystor 100 V (1 Oferta)
Infineon
BSC030N03LSGATMA1
od PLN 1,622*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 12A; 200W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W P...
IXYS
IXTA12N50P
od PLN 8,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-220 100 V 0.003 Ω (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET Infineon, znane również jako tranzystory MOSFET, to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi przez...
Infineon
IPP030N10N5AKSA1
od PLN 13,232*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11LVRG
od PLN 157,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 123 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 136 W 3,7 milioma (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVMFS6H818NT1G
od PLN 3,852*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45BVRG
od PLN 43,10*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.