Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W P...
IXYS
IXTA1R4N120P
od PLN 12,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
IAUC120N04S6N006ATMA1
od PLN 8,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,1kV; 24A; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
MMIX1F40N110P
od PLN 192,92*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPAN70R360P7S tranzystor 700 V (2 ofert)
Infineon
IPAN70R360P7SXKSA1
od PLN 2,727*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 6A; 250W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W ...
IXYS
IXFA6N120P
od PLN 23,64*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB048N15N5LF tranzystor 30 V (1 Oferta)
Infineon
IPB048N15N5LFATMA1
od PLN 20 359,37*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 800V; 3,6A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 560ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100...
IXYS
IXTP4N80P
od PLN 5,30*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRL80HS120 tranzystor 80 V (2 ofert)
Infineon
IRL80HS120
od PLN 1,354*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W...
IXYS
IXTP1R4N120P
od PLN 11,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0009 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor Infineon Power MOSFET jest używany do zastosowań motoryzacyjnych. Przetestowano n kanał MOSFET i 100 procent lawiny. Jest to zestaw bez ołowiu o najwyższym poziomie jakości i solidności ...
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1
od PLN 3,953*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W P...
IXYS
IXTY1R4N120P
od PLN 8,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na...
Infineon
IPB120N10S405ATMA1
od PLN 8,189*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0041 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Infineon
IPB120N08S404ATMA1
od PLN 10,345*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252HV Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W...
IXYS
IXTY1R4N120PHV
od PLN 8,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 12,5 A HSOF-8 600 V SMD 0.19 Ω (2 ofert) 
Infineon Design of Cool MOS™ to rewolucyjna technologia tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seria C...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
od PLN 33,98*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.