MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 051/1 525)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET P-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 9 mΩ (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SQD40061EL_GE3

od PLN 2,447*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 16 A SOP 40 V SMD 0.062 Ω (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET ROHM Power ma typ pakietu SOP8. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja włączenia Mały zestaw do montażu powierzchniowego Bez Pb, zgodny z RoHS

ROHM Semiconductor

RS3G160ATTB1

od PLN 11 435,75*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 10,5/-12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14/22mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc r...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6667

od PLN 1,08*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 3 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...

ROHM Semiconductor

RTR030P02HZGTL

od PLN 1,076*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -0,44A; 0,4W; SOT563 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -440mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W P...

Diodes

DMP2004VK-7

od PLN 0,52*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 10,6 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8

Diodes

DMP3021SPSW-13

od PLN 1 627,675*
za 2 500 szt.

MOSFET P-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

od PLN 3,807*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -2,9A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDS9958

od PLN 1,84*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 16,2 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD Pojedynczy 65,8 W 125 miliomów (3 ofert)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 16,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezys...

Vishay

SISS73DN-T1-GE3

od PLN 1,892*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 0,5/-0,36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4/0,9Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...

Diodes

DMC3400SDW-7

od PLN 0,36*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 3,1 A IPAK (TO-251) 100 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = IPAK (TO-251) Typ montażu = Otwór przezierny

Vishay

IRFU9110PBF

od PLN 1,712*
za szt.

Infineon IPB110P06LM tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPB110P06LMATMA1

od PLN 7,906*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...

ROHM Semiconductor

QS5U21TR

od PLN 0,65*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 108 A PowerPAK 1212-8S 30 V SMD Pojedynczy 65,7 W 5,8 milioma (3 ofert)

P-Channel 30 V (D-S) tranzystora MOSFET.TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET Zapewnia wyjątkowo niski RDS(on) w kompaktowej obudowie, która jest Termicznie wzmocnione Umożliwia wyższą gęstość mocy

Vishay

SiSS05DN-T1-GE3

od PLN 1,857*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -3,9A; Idm: -32A; 1,2W (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,2W Polar...

Diodes

DMP6050SSD-13

od PLN 1,30*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 1051 1052 1053 1054 1055 1056 1057 1058 1059 1060 1061 .. 1525 Dalej

MOSFET (22 870 ofert spośród 5 026 663 artykułów)

"MOSFET"