Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 666 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W P...
IXYS
IXFA72N30X3
od PLN 23,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 150 V SMD 0.295 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
AUIRFR6215TRL
od PLN 9,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 7A; 70W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMP08N80M3
od PLN 1,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 11.7 A, 76 A PowerDI5060-8 40 V SMD 0,019 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 11.7 A, 76 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMP4011 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Diodes
DMP4011SPS-13
od PLN 6 322,725*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 5,3A; 45W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMK09N70C2
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 137 A PowerPAK 8 x 8L 12 V SMD 0.0066 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Kwalifikacja...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
od PLN 4,737*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 600V; 36A; Idm: 48A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W...
IXYS
IXFP36N60X3
od PLN 15,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 13,7 A MLPAK33 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXP018-20QXJ
od PLN 0,817*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; -30/30V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30/30V Prąd drenu: 5,4/-4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26/55mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSD26313C
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 11 A U-DFN2020 12 V SMD Pojedynczy 2 W 30 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Diodes
DMP1009UFDF-7
od PLN 1 648,89*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 7A; 70W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMM08N80M3
od PLN 1,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 115 A PowerDI3333-8 20 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = PowerDI3333-8
Diodes
DMP2004UFG-13
od PLN 4 792,38*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 7,5A; 57W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMF10N70C2
od PLN 1,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 14 A, 74 A DPAK (TO-252) 40 V SMD 0,019 oma (1 Oferta) 
MOSFET w trybie wzmocnienia kanału P DiodesZetex 40V, 3-pinowego został zaprojektowany w celu zminimalizowania oporu przy włączonym zasilaniu, a jednocześnie utrzymania najwyższej wydajności przełą...
Diodes
DMP4011SK3-13
od PLN 5 603,00*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 137 A PowerPAK 8 x 8L 12 V SMD 0.0066 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Seria = P-Channel 12 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
od PLN 2,605*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1051   1052   1053   1054   1055   1056   1057   1058   1059   1060   1061   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.