MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 055/1 530)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET P-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 200 MO (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = RD3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 200...

ROHM Semiconductor

RD3P130SPFRATL

od PLN 4,062*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 320W; 115ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W...

IXYS

IXFP56N30X3

od PLN 19,76*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 13 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0.29 Ω (1 Oferta)

Jednokanałowy tranzystor Infineon typu p HEXFET Power MOSFET w pakiecie D2-Pak. Ma szybkie przełączanie i w pełni lawinowy rating. Nie zawiera ołowiu i ma niską rezystancję.Jest zgodny z RoHS i zgo...

Infineon

AUIRF6215STRL

od PLN 11,407*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

od PLN 15 776,025*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 5A; 50W; TO263 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolarny Ro...

WAYON

WMM06N80M3

od PLN 0,99*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 100 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8

Diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

od PLN 5,804*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 4A; 23W; TO220FP (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: WAYON Montaż: THT Ob...

WAYON

WML07N70C2

od PLN 1,25*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 13 A DPAK 150 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IRFR6215TRLPBF

od PLN 10,715*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; 100ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W...

IXYS

IXFP72N30X3

od PLN 24,29*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.205 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

Infineon

AUIRFR5410TRL

od PLN 7,224*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 108 A PowerPAK 1212-8S 30 V SMD Pojedynczy 65,7 W 5,8 milioma (3 ofert)

P-Channel 30 V (D-S) tranzystora MOSFET.TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET Zapewnia wyjątkowo niski RDS(on) w kompaktowej obudowie, która jest Termicznie wzmocnione Umożliwia wyższą gęstość mocy

Vishay

SiSS05DN-T1-GE3

od PLN 1,857*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 6,8A; 55W; TO251 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 55W Polaryzacja: unipolarn...

WAYON

WMP07N80M3

od PLN 0,99*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 11,4 A SOIC 40 V SMD 0.015 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...

Diodes

DMPH4015SSSQ-13

od PLN 2,45*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 4A; 42W; TO251S3 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251S3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipolar...

WAYON

WMG07N70C2

od PLN 1,04*
za szt.

Infineon AUIRF6215 tranzystor 150 V (1 Oferta)

Infineon

AUIRF6215

od PLN 427,41*
za 50 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 1051 1052 1053 1054 1055 1056 1057 1058 1059 1060 1061 .. 1530 Dalej

MOSFET (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

"MOSFET"