Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 666 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 10 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.84 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
RD3L01BATTL1
od PLN 1,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 9A; 63W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMO11N65C2
od PLN 1,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 90A; 390W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 85ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W P...
IXYS
IXFQ90N20X3
od PLN 24,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 12,1 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3011SPDW-13
od PLN 2,499*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1.03 A SOT-563 20 V SMD 1,5 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1.03 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMG1023 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Diodes
DMG1023UVQ-7
od PLN 1,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 21A; 250W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipol...
WAYON
WMK25N80M3
od PLN 8,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 10 A SC-70-6L 30 V SMD Pojedynczy 13,6 W 30 mΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Vishay
SQA403EJ-T1_GE3
od PLN 3,51*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 700V; 11A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: WAYON Montaż: THT Ob...
WAYON
WML14N70C2
od PLN 2,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 127,5 A. PowerPAK 1212-8S 20 V SMD 0.007 Ω, 0.0027 Ω, 0.0036 Ω (2 ofert) 
Wzmacniacz Vishay SiSS63DN-T1-GE3 to P-Channel 20V (D-S) MOSFET.Tranzystor mocy MOSFET w technologii TrenchFET® III generacji z kanałem typu p Wiodąca funkcja RDS(on) w kompaktowej i udoskonalonej ...
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
od PLN 1,519*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 120A; 735W; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 735...
IXYS
IXFH120N30X3
od PLN 44,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 12,5 A TSSOP 20 V SMD 0.0098 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
Si6423ADQ-T1-GE3
od PLN 1,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 100/-100V; 4,5/-2,7A; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100/-100V Prąd drenu: 4,5/-2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 57/183mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,3/2,7W Po...
Vishay
SI4590DY-T1-GE3
od PLN 1,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 10 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3021SPDW-13
od PLN 1,726*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 21A; 250W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMM25N80M3
od PLN 6,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 10,6 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3021SPSW-13
od PLN 1,381*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1051   1052   1053   1054   1055   1056   1057   1058   1059   1060   1061   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.