MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 567/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 600 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Wyczerpan...

Infineon

BSP135IXTSA1

od PLN 1 321,63*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 200V; 210A; 1500W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzacja: uni...

IXYS

IXFB210N20P

od PLN 96,44*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A PQFN 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IRFH8318TRPBF

od PLN 1,546*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 800V; 14A; 400W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: unipola...

IXYS

IXFH14N80P

od PLN 17,83*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 121 A TO-220 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie

Infineon

SP005632915

od PLN 3,027*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1001RBVRG

od PLN 55,55*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ...

Infineon

BSP296NH6433XTMA1

od PLN 2,571*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18LVFRG

od PLN 133,07*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 121 A TO-220 40 V SMD (1 Oferta)

Infineon

SP005632915

od PLN 2 440,53*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 140A; 1040W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04k...

IXYS

IXFK140N30P

od PLN 59,70*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...

Infineon

IAUC120N04S6N006ATMA1

od PLN 8,56*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 12A; 380W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 380W Polaryzacja: unipolarny...

IXYS

IXFH12N90P

od PLN 23,07*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 122 A HSOF-8 150 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

IPT063N15N5ATMA1

od PLN 17,29*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050LVRG

od PLN 110,33*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 600 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ...

Infineon

BSP125H6433XTMA1

od PLN 2,082*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 .. 1532 Dalej

MOSFET (22 967 ofert spośród 4 907 043 artykułów)

"MOSFET"