MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 563/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 120 A PowerFLAT 5 x 6 80 V SMD 4.5e+006 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = STL1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 4....

ST Microelectronics

STL125N8F7AG

od PLN 7,435*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 500V; 16A; 300W; 400ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...

IXYS

IXTP16N50P

od PLN 9,82*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12,5 A IPAK SL (TO-251 SL) 700 V 0.36 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Infineon

IPSA70R360P7SAKMA1

od PLN 2,049*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 0,8A; 50W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W P...

IXYS

IXTA08N120P

od PLN 8,32*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12,7 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Nexperia

PXN6R7-30QLJ

od PLN 0,925*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 300V; 88A; 600W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W P...

IXYS

IXTT88N30P

od PLN 37,05*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12 A, 18 A. TO-220AB 650 V 0.193 Ω (1 Oferta)

Vishay SIHP186N60EF-GE3 to tranzystor MOSFET z serii EF z diodą szybkiego korpusu.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat prz...

Vishay

SIHP186N60EF-GE3

od PLN 8,107*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 800V; 3,6A; Idm: 8A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 560ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W ...

IXYS

IXTA4N80P

od PLN 5,64*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A PQFN 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IRFH8318TRPBF

od PLN 1,59*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 600V; 22A; 400W; TO3P (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...

IXYS

IXTQ22N60P

od PLN 16,02*
za szt.

Infineon IPN70R360P7S tranzystor 900 V (1 Oferta)

Infineon

IPN70R360P7SATMA1

od PLN 6,90*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 2,4A; Idm: 6A; 125W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 920ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 12...

IXYS

IXTP2R4N120P

od PLN 14,79*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A D-PAK 40 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = D-PAK Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej

Infineon

IRFR7446TRPBF

od PLN 2,885*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 150V; 100A; 300W; 200ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana:...

IXYS

IXFR180N15P

od PLN 47,34*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 12,2 A U-DFN2020 12 V SMD Pojedynczy 1,7 W 12,5 milioma (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja d...

Diodes

DMN1008UFDF-7

od PLN 0,351*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

"MOSFET"