Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 870 ofert spośród 5 026 663 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 28A; 78W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Polar...
Microchip Technology
MSC360SMA120B
od PLN 24,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 128 A TO-220F 100 V Pojedynczy 37,5 W 4,5 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 128 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220F Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
FDPF4D5N10C
od PLN 9 202,00*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25A; Idm: 87A; 182W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 182W Polary...
Microchip Technology
MSC080SMA120S
od PLN 52,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220AB 800 V 0.35 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Niska wartoś...
Vishay
SIHP15N80AEF-GE3
od PLN 3,476*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 84 A TO-247-4 1200 V 0,028 oma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 84 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = NTH Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,028 o...
onsemi
NTH4L020N120SC1
od PLN 94,631*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 180 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Infineon
IPD60R180C7ATMA1
od PLN 3,208*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 1200 V 0,11 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.Odpływ o pojemności 1...
onsemi
NTHL160N120SC1
od PLN 14,067*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220 650 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
NTPF250N65S3H
PLN 7,747*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; Idm: 240A; 542W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 542W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12K
od PLN 122,80*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF135B203
od PLN 4,211*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: BASiC SEMICONDUCTOR ...
BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK
od PLN 57,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247 1200 V 22 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
od PLN 11,349*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3A; Idm: 12A; 69W (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,69Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polaryzacja: uni...
Bridgelux
BXW3M1K7H
od PLN 9,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 360 MO (1 Oferta) 
Superzłącze Infineon serii MOSFET CoolMOS™ P7 800V to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajające potrzeby rynku w zakresie wydajności, łatwośc...
Infineon
IPD80R360P7ATMA1
od PLN 3,094*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 127W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 127W Po...
Microchip Technology
MSC180SMA120B
od PLN 33,10*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.