MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 570/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 69A; 500W; TO268 (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Obu...

IXYS

IXTT69N30P

od PLN 27,46*
za szt.

Infineon BSZ0501NSI tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

BSZ0501NSIATMA1

od PLN 2,66498*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A PowerFLAT 5 x 6 40 V SMD 0.11 O. (2 ofert)

N-kanałowy tranzystor MOSFET firmy STMicroelectronics wykorzystuje technologię STripFET F7 ze wzmocnioną konstrukcją bramki do rowów, która zapewnia bardzo niską odporność na stan, a także zmniejsz...

ST Microelectronics

STL260N4LF7

od PLN 6,126*
za szt.

Infineon IPP030N10N5 tranzystor 100 V (2 ofert)

Infineon

IPP030N10N5AKSA1

od PLN 12,679*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 52A; 400W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...

IXYS

IXTT52N30P

od PLN 18,76*
za szt.

Infineon IPP034N08N5 tranzystor 200 V (2 ofert)

Infineon

IPP034N08N5AKSA1

od PLN 6,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 100A; 1890W; 200ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 18...

IXYS

IXFB100N50P

od PLN 88,41*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 123 A SO-8L 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 123 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

Vishay

SQJ740EP-T1_GE3

od PLN 19 286,25*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 12A; 200W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W...

IXYS

IXTP12N50P

od PLN 7,69*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...

Infineon

IAUC120N04S6L005ATMA1

od PLN 25,755*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 600V; 10A; 200W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,74Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W ...

IXYS

IXFA10N60P

od PLN 8,53*
za szt.

Infineon IPP051N15N5 tranzystor 25 V (2 ofert)

Infineon

IPP051N15N5AKSA1

od PLN 14,99*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 69A; 500W; TO3P (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 330ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 69A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Po...

IXYS

IXTQ69N30P

od PLN 25,66*
za szt.

Infineon IPB038N12N3 G tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IPB038N12N3GATMA1

od PLN 11,62*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 3A; 70W; TO252 (1 Oferta)

IXYS

IXTY3N50P

od PLN 2,21*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

"MOSFET"