| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2291796 Nr producenta: IAUC120N04S6N009ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor Infineon Power MOSFET jest używany do zastosowań motoryzacyjnych. Przetestowano n kanał MOSFET i 100 procent lawiny. Jest to zestaw bez ołowiu o najwyższym poziomie jakości i solidności do zastosowań motoryzacyjnych. To jest n kanał normalny poziom MOSFET.Jest zgodny z RoHS i zgodny z AEC Q101 Temperatura działania wynosi 175°C. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 120 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | SuperSO8 5 x 6 | Seria: | OptiMOS™ 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0009 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2291796, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IAUC120N04S6N009ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |