| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2172640 Nr producenta: IRL80HS120 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 42 MO Maksymalne napięcie progowe VGS = 2V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | DFN2020 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 42 MO | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2172640, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRL80HS120 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |